组件形成
在集成电路，电子元件，如电阻器，电容器，二极管，晶体管和直接形成在硅晶体的表面上。 制造集成电路会更有意义，如果一个先了解一些这些组件如何形成的基础知识的过程。
第一IC被开发之前，人们已知的是普通的电子元件可以由硅制成。 现在的问题是如何使它们和连接电路，从同一块硅片？ 解决的办法是改变或涂料，微小区域的硅晶体表面上的化学成分加入其它化学品，称为掺杂物。 有些掺杂债券与硅生产区域，其中掺杂原子有一个电子，他们可以放弃。 这些被称为N个区域。 其他杂质债券与硅生产区域，其中掺杂原子有空间采取一个电子。 这些被称为P的区域。 当P区接触的N区域，它们之间的边界被称为一个PN结。 这个边界是仅0.000004英寸（0.0001厘米）宽，但关键是集成电路部件的操作。
内的PN结，这两个区域的键以这样的方式以产生一个第三区的原子，称为一个耗尽区，其中在P掺杂原子捕获所有N个掺杂剂额外的电子，从而消耗他们。 之一导致的现象是，加在P区的正电压会导致电流流过结为N的区域，但是施加到N区域相似的正电压将导致很少或通过没有电流流过结放回P区。 PN结的任行为或绝缘取决于哪一侧施加的电压可用于形成集成电路组件的直接和以相同的方式二极管和晶体管的控制电流流过这种能力。 二极管，例如，仅仅是一个PN结。 通过改变数量和类型的掺杂剂，并改变形状和P的相对安置区和N区，集成电路组件，模拟电阻器和电容器的功能也可以来形成。